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MSKSEMI FDMC7696-MS
| Fabricante | MSKSEMIAsian Brands |
| Cód. da peça | FDMC7696-MS |
| Nº LCSC | C51908788 |
| Emb. | DFN-8L(3x3) |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 20W 30V 30A 8mΩ@10V 1 N-channel N-Channel DFN-8L(3x3) Single FETs, MOSFETs |
| Folha de Dados | MSKSEMI FDMC7696-MS |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | MSKSEMI | |
| Emb. | DFN-8L(3x3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 81pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 572pF | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 65pF | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 7.2nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | MSKSEMI | |
| Emb. | DFN-8L(3x3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 81pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 572pF | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 65pF | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 7.2nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
The FDMC7696-MS utilizes advanced trench technology to deliver excellent RDS(ON), low gate charge, and operates at gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for battery protection or other switching applications.
Recursos
Tradução por IA
- VDS = 30 V, ID = 30 A
- RDS(ON) < 13 mΩ at VGS = 10 V
Aplicações
Tradução por IA
- Battery protection
- Load switch
- Uninterruptible power supply
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Em estoque: 1,000
1,000 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.2264 | $ 1.13 |
| 50+ | $ 0.1813 | $ 9.07 |
| 150+ | $ 0.162 | $ 24.30 |
| 500+ | $ 0.1379 | $ 68.95 |
| 2,500+ | $ 0.1271 | $ 317.75 |
| 5,000+ | $ 0.1207 | $ 603.50 |
Encapsulamento Padrão5000/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | MSKSEMI | |
| Emb. | DFN-8L(3x3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 81pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 572pF | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 65pF | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 7.2nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | MSKSEMI | |
| Emb. | DFN-8L(3x3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 81pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 572pF | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 65pF | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 7.2nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
The FDMC7696-MS utilizes advanced trench technology to deliver excellent RDS(ON), low gate charge, and operates at gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for battery protection or other switching applications.
Recursos
Tradução por IA
- VDS = 30 V, ID = 30 A
- RDS(ON) < 13 mΩ at VGS = 10 V
Aplicações
Tradução por IA
- Battery protection
- Load switch
- Uninterruptible power supply
C51908788 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON7410-MS | MSKSEMI | Similares | DFN-8L(3x3) | 685 | $ 0.1262 | ||
| BSZ130N03LS-MS | MSKSEMI | Similares | DFN-8L(3x3) | 995 | $ 0.4052 | ||
| AON7430-MS | MSKSEMI | Similares | DFN3x3-8L | 2,635 | $0.1005 $0.1057 | ||
| SIS402DN-T1-GE3-MS | MSKSEMI | Similares | DFN-8L(3x3) | 980 | $ 0.1979 | ||
| AON7426-MS | MSKSEMI | Similares | DFN-8L(3x3) | 890 | $ 0.2853 |