15% OFF
- Pinagem
- Footprint
Imagens ilustrativas
Modelos EDAEasyEDA
VBsemi Elec HUFA76633P3-VB
| Fabricante | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cód. da peça | HUFA76633P3-VB |
| Nº LCSC | C45662332 |
| Emb. | TO-220AB |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB |
| Folha de Dados | VBsemi Elec HUFA76633P3-VB |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 270pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| RDS(on) | 36mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 270pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| RDS(on) | 36mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >
Descrição
Tradução por IA
These power MOSFETs are manufactured using Cmos proprietary planar stripe DMOS technology. These devices are ideally suited for complementary half-bridge based electronic lamp ballasts.
Recursos
Tradução por IA
- Trench Power MOSFETS
- 175 °C Junction Temperature
- Low Thermal Resistance Package
Aplicações
Tradução por IA
- DC-DC Converter
- Power Management Function
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Em estoque: 10
10 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
Adicionar à Lista BOM
| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.0089$ 0.8576 | $ 0.86 |
| 10+ | $ 0.8641$ 0.7345 | $ 7.35 |
| 50+ | $ 0.7909$ 0.6723 | $ 33.62 |
| 100+ | $ 0.6021$ 0.5118 | $ 51.18 |
| 500+ | $ 0.5598$ 0.4759 | $ 237.95 |
| 1,000+ | $ 0.537$ 0.4565 | $ 456.50 |
Encapsulamento Padrão50/Full Tube | ||
Melhor preço para maior quantidade?
$
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 270pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| RDS(on) | 36mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 270pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| RDS(on) | 36mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >
Descrição
Tradução por IA
These power MOSFETs are manufactured using Cmos proprietary planar stripe DMOS technology. These devices are ideally suited for complementary half-bridge based electronic lamp ballasts.
Recursos
Tradução por IA
- Trench Power MOSFETS
- 175 °C Junction Temperature
- Low Thermal Resistance Package
Aplicações
Tradução por IA
- DC-DC Converter
- Power Management Function
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP50CN10NG-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-220AB | 8 | $0.6168 $0.7256 | ||
| 2SK3481-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-220AB | 10 | $0.8576 $1.0089 | ||
| HUF75631P3-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-220AB | 10 | $0.8576 $1.0089 | ||
| HUFA75637P3-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-220AB | 10 | $0.8576 $1.0089 | ||
| 2SK3149-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-220AB | 39 | $0.6406 $0.7536 |
5 mais peças alternativas.Ver todos os substitutos