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HUASHUO HSU6014
| Fabricante | HUASHUOAsian Brands |
| Cód. da peça | HSU6014 |
| Nº LCSC | C701008 |
| Emb. | TO-252-2 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 60V 20A TO-252-2 |
| Folha de Dados | HUASHUO HSU6014 |
| Conformidade RoHS | 1 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | HUASHUO | |
| Emb. | TO-252-2 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 31.3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 46pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.027nF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | HUASHUO | |
| Emb. | TO-252-2 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 31.3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 46pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.027nF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
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Descrição
Tradução por IA
HSU6014 is a high cell density trench N-channel MOSFET offering excellent on-resistance (R<sub>DS(ON)</sub>) and gate charge for most synchronous buck converter applications. HSU6014 complies with RoHS and green product requirements, is 100% guaranteed avalanche-rated (EAS), and has passed full-function reliability qualification.
Recursos
Tradução por IA
- 100% guaranteed avalanche capability (EAS)
- Green/eco-friendly devices available
- Ultra-low gate charge
- Excellent CdV/dt immunity
- Advanced high cell density trench technology
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Em estoque: 3,425
3,425 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.1654 | $ 0.83 |
| 50+ | $ 0.1282 | $ 6.41 |
| 150+ | $ 0.1123 | $ 16.85 |
| 500+ | $ 0.0924 | $ 46.20 |
| 2,500+ | $ 0.0835 | $ 208.75 |
| 5,000+ | $ 0.0782 | $ 391.00 |
Encapsulamento Padrão2500/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | HUASHUO | |
| Emb. | TO-252-2 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 31.3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 46pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.027nF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | HUASHUO | |
| Emb. | TO-252-2 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 31.3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 46pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.027nF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
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Descrição
Tradução por IA
HSU6014 is a high cell density trench N-channel MOSFET offering excellent on-resistance (R<sub>DS(ON)</sub>) and gate charge for most synchronous buck converter applications. HSU6014 complies with RoHS and green product requirements, is 100% guaranteed avalanche-rated (EAS), and has passed full-function reliability qualification.
Recursos
Tradução por IA
- 100% guaranteed avalanche capability (EAS)
- Green/eco-friendly devices available
- Ultra-low gate charge
- Excellent CdV/dt immunity
- Advanced high cell density trench technology
C701008 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSU6004 | HUASHUO | Similares | TO-252-2 | 2,305 | $ 0.1124 | ||
| HSU6006 | HUASHUO | Similares | TO-252-2 | 1,135 | $ 0.2308 | ||
| HSU0056 | HUASHUO | Similares | TO-252-2L | 1,735 | $ 0.2654 | ||
| HSU20N15A | HUASHUO | Similares | TO-252-2 | 757 | $ 0.5026 | ||
| HSU48N12A | HUASHUO | Similares | TO-252 | 746 | $ 0.4088 |
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