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VISHAY SQM120N06-06_GE3
| Fabricante | |
| N.º de pieza fab. | SQM120N06-06_GE3 |
| Nº LCSC | C6818673 |
| Emb. | TO-263(D2PAk) |
| Número de Cliente | |
| Atrib. clave | MOSFET N-CH 60V 120A TO-263(D2PAk) |
| Hoja de Datos | VISHAY SQM120N06-06_GE3 |
| Piezas alternativas | 5 |
Especificaciones del Producto
Todo
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | TO-263(D2PAk) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 708pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 145nC@10V |
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | TO-263(D2PAk) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 708pF |
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 145nC@10V |
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Características
Traducción por IA
- TrenchFET power MOSFET
- Package with low thermal resistance
- AEC-Q101 qualified
- 100 % Rg and UIS tested
Garantía en cada pedido
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En stock: 430
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Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidad de venta: Piece
| Cant. | Prec. unit. | Importo total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.2296 | $ 2.23 |
| 10+ | $ 2.1081 | $ 21.08 |
| 30+ | $ 2.0359 | $ 61.08 |
| 100+ | $ 1.9637 | $ 196.37 |
| 500+ | $ 1.9308 | $ 965.40 |
| 800+ | $ 1.9144 | $ 1531.52 |
Encapsulado Estándar800/Full Reel | ||
Especificaciones del Producto
Todo
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | TO-263(D2PAk) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 708pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 145nC@10V |
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | TO-263(D2PAk) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 708pF |
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 145nC@10V |
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Características
Traducción por IA
- TrenchFET power MOSFET
- Package with low thermal resistance
- AEC-Q101 qualified
- 100 % Rg and UIS tested
Cumplimiento & Códigos de Exportación
| Tipo | Detalles |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalles |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalles |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Piezas alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Empaque | Disponibilidad | Precio unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SP60N05GTD | Siliup | Similares | TO-263-3L | 2,845 | $ 0.2207 | ||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon | Similares | D2PAK | 1,526 | $ 1.2203 | ||
| SUB75N06-07L-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-263(D2PAK) | 5 | $0.8800 $1.0352 | ||
| IPB45N06S4L-08-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-263(D2PAK) | 10 | $0.8800 $1.0352 | ||
| IPB110N06LG-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-263(D2PAK) | 10 | $0.8800 $1.0352 |