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onsemi NTPF250N65S3H
| Fabricante | |
| Cód. da peça | NTPF250N65S3H |
| Nº LCSC | C2902186 |
| Emb. | TO-220F |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 650V 13A TO-220F |
| Folha de Dados | onsemi NTPF250N65S3H |
| Conformidade RoHS | 2 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-220F | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.261nF | |
| Pd - Power Dissipation | 29W | |
| RDS(on) | 250mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-220F | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.261nF | |
| Pd - Power Dissipation | 29W | |
| RDS(on) | 250mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
SUPERFET III MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III FAST MOSFET series helps minimize various power systems and improve system efficiency.
Recursos
Tradução por IA
- 700 V (TJ = 150°C)
- Typ. RDS(on) = 201 mΩ
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. C0ss(eff.) = 229 pF)
- 100% Avalanche Tested
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Aplicações
Tradução por IA
- Computing / Display Power Supplies
- Telecom / Server Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- Lighting / Charger / Adapter
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.8877 | $ 2.89 |
| 10+ | $ 2.4682 | $ 24.68 |
| 50+ | $ 2.2049 | $ 110.25 |
| 100+ | $ 1.9367 | $ 193.67 |
| 500+ | $ 1.8149 | $ 907.45 |
| 1,000+ | $ 1.7623 | $ 1762.30 |
Encapsulamento Padrão50/Full Tube | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-220F | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.261nF | |
| Pd - Power Dissipation | 29W | |
| RDS(on) | 250mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-220F | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.261nF | |
| Pd - Power Dissipation | 29W | |
| RDS(on) | 250mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
SUPERFET III MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III FAST MOSFET series helps minimize various power systems and improve system efficiency.
Recursos
Tradução por IA
- 700 V (TJ = 150°C)
- Typ. RDS(on) = 201 mΩ
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. C0ss(eff.) = 229 pF)
- 100% Avalanche Tested
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Aplicações
Tradução por IA
- Computing / Display Power Supplies
- Telecom / Server Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- Lighting / Charger / Adapter
C2902186 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCE65T260F | NCE | Similares | TO-220F | 2,146 | $ 1.6539 | ||
| NTPF360N80S3Z | onsemi | Similares | TO-220F | 7 | $ 3.174 | ||
| WTM15N65AF | WPMtek | Similares | TO-220F | 20 | $ 1.1958 | ||
| GC280N65F | GOFORD | Similares | TO-220F | 2 | $ 1.1489 | ||
| STF24N65M2 | ST | Similares | TO-220FPAB-3 | 31 | $ 1.4947 |