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Infineon SPD04P10PLG
| Fabricante | |
| Cód. da peça | SPD04P10PLG |
| Nº LCSC | C250646 |
| Emb. | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET P-CH 100V 4.2A TO-252 |
| Folha de Dados | Infineon SPD04P10PLG |
| Conformidade RoHS | 1 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 372pF | |
| Pd - Power Dissipation | 38W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 51pF | |
| RDS(on) | 1.05Ω@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 372pF | |
| Pd - Power Dissipation | 38W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 51pF | |
| RDS(on) | 1.05Ω@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- P-Channel
- Enhancement mode
- Logic level
- Avalanche rated
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Qualified according to AEC Q101
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Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.0297 | $ 1.03 |
| 10+ | $ 0.8486 | $ 8.49 |
| 30+ | $ 0.7572 | $ 22.72 |
| 100+ | $ 0.6674 | $ 66.74 |
| 500+ | $ 0.5451 | $ 272.55 |
| 1,000+ | $ 0.5173 | $ 517.30 |
Encapsulamento Padrão2500/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 372pF | |
| Pd - Power Dissipation | 38W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 51pF | |
| RDS(on) | 1.05Ω@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 372pF | |
| Pd - Power Dissipation | 38W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 51pF | |
| RDS(on) | 1.05Ω@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- P-Channel
- Enhancement mode
- Logic level
- Avalanche rated
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Qualified according to AEC Q101
C250646 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSU0107 | HUASHUO | Similares | TO-252 | 2,500 | $ 0.113 | ||
| MDDG10R160D | MDD(Microdiode Semiconductor) | Similares | TO-252 | 2,500 | $0.1928 $0.1987 | ||
| AGM500P20D | AGMSEMI | Similares | TO-252 | 4,895 | $0.2928 $0.3082 | ||
| SP010P190TH | Siliup | Similares | TO-252 | 1,990 | $0.0931 $0.0979 | ||
| CRTD700P10L | CRMICRO | Similares | TO-252 | 1,590 | $ 0.4849 |