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Truesemi TSK110N25M
| Fabricante | TruesemiAsian Brands |
| Cód. da peça | TSK110N25M |
| Nº LCSC | C49437795 |
| Emb. | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 |
| Folha de Dados | Truesemi TSK110N25M |
| Peças alternativas | 2 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Truesemi | |
| Emb. | TO-247 | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.065nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 694W | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 114pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.009nF | |
| Gate Charge(Qg) | 202nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Truesemi | |
| Emb. | TO-247 | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.065nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 694W | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 114pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.009nF | |
| Gate Charge(Qg) | 202nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
This power MOSFET is manufactured using TrueSemi's advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology is specifically designed to minimize on-resistance, deliver superior switching performance, and withstand high-energy pulses in avalanche and commutation modes.
Recursos
Tradução por IA
- 110A, 250V, maximum R<sub>DS(on)</sub> = 30mΩ (at V<sub>GS</sub> = 10V)
- Drain-source breakdown voltage: BV<sub>DSS</sub> = 250V (minimum)
- Low drain-source on-resistance: R<sub>DS(on)</sub> = 30mΩ (maximum)
- 100% avalanche tested
- RoHS compliant device
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Em estoque: 20
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Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 3.5658 | $ 3.57 |
| 10+ | $ 3.0698 | $ 30.70 |
| 30+ | $ 2.7758 | $ 83.27 |
| 90+ | $ 2.4785 | $ 223.07 |
| 510+ | $ 2.3405 | $ 1193.66 |
| 990+ | $ 2.2781 | $ 2255.32 |
Encapsulamento Padrão30/Full Tube | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Truesemi | |
| Emb. | TO-247 | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.065nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 694W | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 114pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.009nF | |
| Gate Charge(Qg) | 202nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Truesemi | |
| Emb. | TO-247 | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.065nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 694W | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 114pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.009nF | |
| Gate Charge(Qg) | 202nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
This power MOSFET is manufactured using TrueSemi's advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology is specifically designed to minimize on-resistance, deliver superior switching performance, and withstand high-energy pulses in avalanche and commutation modes.
Recursos
Tradução por IA
- 110A, 250V, maximum R<sub>DS(on)</sub> = 30mΩ (at V<sub>GS</sub> = 10V)
- Drain-source breakdown voltage: BV<sub>DSS</sub> = 250V (minimum)
- Low drain-source on-resistance: R<sub>DS(on)</sub> = 30mΩ (maximum)
- 100% avalanche tested
- RoHS compliant device
C49437795 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSK110N25MSD | Truesemi | Similares | TO-247 | 60 | $ 4.1396 | ||
| TSK200N25 | Truesemi | Similares | TO-247 | 20 | $ 1.4111 |
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