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MDD(Microdiode Semiconductor) TB10S

Hersteller
Herst.-Teilenr.
TB10S
LCSC-Nr.
C65031
Verp.
TBS
Kundennummer
Hauptmerkm.
BRIDGE RECT 1kV 1A TBS
DatenblattMDD(Microdiode Semiconductor) TB10S
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch
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10+$ 0.0323$ 0.0304$ 0.30
100+$ 0.0252$ 0.0237$ 2.37
300+$ 0.0213$ 0.0201$ 6.03
1,000+$ 0.0189$ 0.0178$ 17.80
5,000+$ 0.0169$ 0.0159$ 79.50
10,000+$ 0.0158$ 0.0149$ 149.00
Standardgehäuse5000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Diodes/Bridge Rectifiers
HerstellerMDD(Microdiode Semiconductor)
Verp.TBS
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current30A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃
Reverse Leakage Current (Ir)5uA@1kV
Voltage - Forward(Vf@If)950mV@1A
Current - Rectified1A
Voltage - DC Reverse(Vr)1kV

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Ideal for PCBs
  • Molded plastic construction — reliable and cost-effective
  • High-temperature soldering guaranteed: 260℃ for 10 seconds at 5 lbs (2.3 kg) pull force
  • Compact size, easy mounting
  • High surge current capability
  • Glass passivated die construction