- Pinagem
- Footprint
Imagens ilustrativas
Modelos EDAEasyEDA
Infineon IRF2907ZPBF
| Fabricante | |
| Cód. da peça | IRF2907ZPBF |
| Nº LCSC | C495791 |
| Emb. | TO-220AB |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET 75V 160A TO-220AB |
| Folha de Dados | Infineon IRF2907ZPBF |
| Conformidade RoHS | 1 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Output Capacitance(Coss) | 970pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 160A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 510pF | |
| RDS(on) | 4.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 7.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 270nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Output Capacitance(Coss) | 970pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 160A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 510pF | |
| RDS(on) | 4.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 7.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 270nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >
Descrição
Tradução por IA
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Recursos
Tradução por IA
- Advanced Process Technology
- Ultra Low On-Resistance
- 175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
- Lead-Free
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Em estoque: 584
584 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
Adicionar à Lista BOM
| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.6531 | $ 2.65 |
| 10+ | $ 2.4792 | $ 24.79 |
| 50+ | $ 2.3704 | $ 118.52 |
| 100+ | $ 2.2599 | $ 225.99 |
| 500+ | $ 2.2095 | $ 1104.75 |
| 1,000+ | $ 2.1884 | $ 2188.40 |
Encapsulamento Padrão50/Full Tube | ||
Melhor preço para maior quantidade?
$
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Output Capacitance(Coss) | 970pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 160A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 510pF | |
| RDS(on) | 4.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 7.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 270nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Output Capacitance(Coss) | 970pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 160A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 510pF | |
| RDS(on) | 4.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 7.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 270nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >
Descrição
Tradução por IA
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Recursos
Tradução por IA
- Advanced Process Technology
- Ultra Low On-Resistance
- 175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
- Lead-Free
C495791 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB3207PBF | Infineon | Similares | TO-220AB | 484 | $1.3020 $1.6274 | ||
| HY3708P | HUAYI | Similares | TO-220FB-3 | 150 | $0.6537 $0.9756 | ||
| MS210N085FTD | MASPOWER | Similares | TO-220 | 20 | $ 1.0325 | ||
| NCE82H160 | NCE | Similares | TO-220-3L | 1,004 | $ 1.2169 | ||
| MSA003C | MIRACLE POWER | Similares | TO-220 | 9 | $0.6148 $0.6471 |
5 mais peças alternativas.Ver todos os substitutos