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onsemi FQA90N15-F109

Fabricante
onsemi
Cód. da peça
FQA90N15-F109
Nº LCSC
C898227
Emb.
TO-3P
Número do Cliente
Atrib. princ.
375W 150V 90A 14mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-3P Single FETs, MOSFETs RoHS
Folha de Dadosonsemi FQA90N15-F109
Conformidade RoHS3 documentos disponíveis
Peças alternativas5
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricanteonsemi
Emb.TO-3P
Output Capacitance(Coss)1.4nF
Ciss-Input Capacitance8.7nF
Pd - Power Dissipation375W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage150V
Current - Continuous Drain(Id)90A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)200pF
RDS(on)14mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)285nC@10V
Vgs±25V
TypeN-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
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Descrição

Tradução por IA

These N-channel enhancement-mode power MOSFETs are manufactured using a proprietary planar stripe DMOS technology. This advanced technology is specifically designed to minimize on-resistance, deliver superior switching performance, and withstand high-energy pulses in avalanche and commutation modes. These devices are ideally suited for low-voltage applications such as audio amplifiers, high-efficiency switching in DC/DC converters, DC motor control, and uninterruptible power supplies.

Recursos

Tradução por IA
  • RDS(on) = 18 mΩ (max) at VGS = 10 V, ID = 45 A
  • Low gate charge (220 nC typical)
  • Low Crss (200 pF typical)
  • 100% avalanche tested
  • Maximum junction temperature rating of 175℃

Aplicações

Tradução por IA
  • Audio amplifier
  • High-efficiency switching for DC/DC converters
  • DC motor control
  • Uninterruptible power supply