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EDA-ModelleEasyEDA
onsemi MJD50G
| Hersteller | |
| Herst.-Teilenr. | MJD50G |
| LCSC-Nr. | C897480 |
| Verp. | DPAK |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | 400V 30 1A NPN DPAK Single Bipolar Transistors RoHS |
| Datenblatt | onsemi MJD50G |
| RoHS-Konformität | 4 Dokumente verfügbar |
| Alternativteile | 1 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Hersteller | onsemi | |
| Verp. | DPAK | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 200uA | |
| Transition frequency(fT) | 10MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 400V | |
| DC Current Gain | 30 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.56W | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Hersteller | onsemi | |
| Verp. | DPAK | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 200uA | |
| Transition frequency(fT) | 10MHz |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 400V | |
| DC Current Gain | 30 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.56W | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
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| Stk. | E-Preis(Nur als Referenz) | Gesamtbetrag |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.7506 | $ 0.75 |
| 10+ | $ 0.7409 | $ 7.41 |
| 30+ | $ 0.7344 | $ 22.03 |
| 100+ | $ 0.7295 | $ 72.95 |
Standardgehäuse75/Full Tube | ||
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Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Hersteller | onsemi | |
| Verp. | DPAK | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 200uA | |
| Transition frequency(fT) | 10MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 400V | |
| DC Current Gain | 30 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.56W | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Hersteller | onsemi | |
| Verp. | DPAK | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 200uA | |
| Transition frequency(fT) | 10MHz |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 400V | |
| DC Current Gain | 30 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.56W | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
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C897480 EasyEDA-Bibliothek
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
Alternativteile
| MPN | Hersteller | Alternativtyp | Verpackung | Verfügbarkeit | Stückpreis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NJVMJD50T4G | onsemi | Direkt | DPAK | 3 | $ 2.1039 |