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Jingdao Microelectronics G301DS
| Produttore | Jingdao MicroelectronicsAsian Brands |
| Cod. Prod. | G301DS |
| Cod. LCSC | C668152 |
| Imballo | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | DIODE STANDARD 100V 3A TO-252-2 |
| Scheda Tecnica | Jingdao Microelectronics G301DS |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | Jingdao Microelectronics | |
| Imballo | TO-252-2 | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.1V@3A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Current - Rectified | 3A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | Jingdao Microelectronics | |
| Imballo | TO-252-2 | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.1V@3A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Current - Rectified | 3A |
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | Jingdao Microelectronics | |
| Imballo | TO-252-2 | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.1V@3A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Current - Rectified | 3A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | Jingdao Microelectronics | |
| Imballo | TO-252-2 | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.1V@3A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Current - Rectified | 3A |
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C668152 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G302DS | Jingdao Microelectronics | Simili | TO-252-2 | 300 | $ 0.0187 | ||
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| G306DS | Jingdao Microelectronics | Simili | TO-252 | 720 | $ 0.0223 | ||
| G410DS | Jingdao Microelectronics | Simili | TO-252-2 | 30 | $ 0.0419 | ||
| G601DS | Jingdao Microelectronics | Simili | TO-252-2 | 20 | $ 0.0228 |