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Imagens ilustrativas

TOSHIBA TK12A53D(STA4,Q,M)

Fabricante
TOSHIBA
Cód. da peça
TK12A53D(STA4,Q,M)
Nº LCSC
C6284818
Emb.
TO-220SIS
Número do Cliente
Atrib. princ.
525V 12A 45W 580mΩ@10V 1 N-channel TO-220SIS Single FETs, MOSFETs RoHS
Folha de DadosTOSHIBA TK12A53D(STA4,Q,M)
Conformidade RoHS1 documentos disponíveis
Peças alternativas5
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteTOSHIBA
Emb.TO-220SIS
Drain to Source Voltage525V
Current - Continuous Drain(Id)12A
Ciss-Input Capacitance1.35nF
Pd - Power Dissipation45W
RDS(on)580mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)25nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >

Recursos

Tradução por IA
  • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 Ω (typical)
  • High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typical)
  • Low leakage current: IDSS = 10 μA (maximum) (VDS = 525 V)
  • Enhancement mode: V\textth = 2.0 to 4.0 V (V\textDS = 10 V, I\textD = 1 mA)

Aplicações

Tradução por IA
  • Switching regulator