LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Iniciar sesión
USD
Carrito
Nexperia PUMD6,125 product image
Imágenes ilustrativas

Nexperia PUMD6,125

Fabricante
Nexperia
N.º de pieza fab.
PUMD6,125
Nº LCSC
C553523
Emb.
SOT-363
Número de Cliente
Atrib. clave
200 300mW 100mA 50V 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased SOT-363 Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased RoHS
Hoja de DatosNexperia PUMD6,125
Cumplimiento RoHS2 documentos disponibles
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
FabricanteNexperia
Emb.SOT-363
Current - Collector Cutoff100nA
Transition frequency(fT)-
Emitter-Base Voltage VEBO5V
DC Current Gain200
Vce Saturation(VCE(sat))100mV
Operating Temperature-65℃~+150℃
Output Voltage(VO(on))-
Input Resistor4.7kΩ
Resistor Ratio-
Pd - Power Dissipation300mW
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)-
Current - Collector(Ic)100mA
Voltage - Input(Max)(VI(off))-
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
typeNPN+PNP
Number1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Ayuda y comentariosMostrar productos similares (0) >

Características

Traducción por IA
  • Built-in bias resistors
  • Simplified circuit design
  • Reduction of component count
  • Reduced pick and place costs

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Low current peripheral driver
  • Replacement of general purpose transistors in digital applications
  • Control of IC inputs