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Modelli EDAEasyEDA
ST STP36NF06L
| Produttore | |
| Cod. Prod. | STP36NF06L |
| Cod. LCSC | C457465 |
| Imballo | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 70W 60V 30A 1V 32mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | ST STP36NF06L |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 70pF | |
| RDS(on) | 32mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 660pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@30V | |
| Vgs | ±18V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 70pF | |
| RDS(on) | 32mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 660pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@30V | |
| Vgs | ±18V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This power MOSFET represents the latest achievement based on a unique "single feature size" stripe process. The resulting transistor features extremely high packing density, enabling low on-resistance and excellent avalanche characteristics, while requiring fewer photolithography alignment steps, thus delivering superior manufacturing repeatability.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Excellent dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Low threshold drive
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching applications
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.5532 | $ 1.55 |
| 10+ | $ 1.5321 | $ 15.32 |
| 30+ | $ 1.5191 | $ 45.57 |
| 100+ | $ 1.5045 | $ 150.45 |
Package Standard1000/Full Tube | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 70pF | |
| RDS(on) | 32mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 660pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@30V | |
| Vgs | ±18V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 70pF | |
| RDS(on) | 32mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 660pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@30V | |
| Vgs | ±18V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This power MOSFET represents the latest achievement based on a unique "single feature size" stripe process. The resulting transistor features extremely high packing density, enabling low on-resistance and excellent avalanche characteristics, while requiring fewer photolithography alignment steps, thus delivering superior manufacturing repeatability.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Excellent dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Low threshold drive
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching applications
C457465 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PHP20NQ20T-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-220AB | 10 | $0.7936 $0.9336 | ||
| CMP30N10 | Cmos | Simili | TO-220 | 130 | $0.3460 $0.3642 | ||
| BUK455-200B-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-220AB | 15 | $ 1.1781 | ||
| BUK456-200B-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-220 | 20 | $1.1857 $1.2481 | ||
| YFW30N10AC | YFW | Simili | TO-220C | 100 | $0.3680 $0.3873 |
5 altri componenti alternativi.Visualizza tutti i sostituti