RENESAS 2SA1978-T1B-A

Fabricante	RENESAS
N.º de pieza fab.	2SA1978-T1B-A
Nº LCSC	C3200102
Emb.	SOT-23-3(TO-236-3)
Número de Cliente
Atrib. clave	12V 40 50mA 1 PNP PNP SOT-23-3(TO-236-3) Single Bipolar Transistors
Hoja de Datos	RENESAS 2SA1978-T1B-A
Piezas alternativas	5

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	RENESAS
Emb.	SOT-23-3(TO-236-3)
Current - Collector Cutoff	100nA
Operating Temperature	-
Transition frequency(fT)	5.5GHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	12V
Emitter-Base Voltage VEBO	3V
DC Current Gain	40
Current - Collector(Ic)	50mA
Pd - Power Dissipation	200mW
Configuration	Standalone
Number	1 PNP
type	PNP
Vce Saturation(VCE(sat))	-

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	RENESAS
Emb.	SOT-23-3(TO-236-3)
Current - Collector Cutoff	100nA
Operating Temperature	-
Transition frequency(fT)	5.5GHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	12V
Emitter-Base Voltage VEBO	3V

Garantía en cada pedido

100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	RENESAS
Emb.	SOT-23-3(TO-236-3)
Current - Collector Cutoff	100nA
Operating Temperature	-
Transition frequency(fT)	5.5GHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	12V
Emitter-Base Voltage VEBO	3V
DC Current Gain	40
Current - Collector(Ic)	50mA
Pd - Power Dissipation	200mW
Configuration	Standalone
Number	1 PNP
type	PNP
Vce Saturation(VCE(sat))	-

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	RENESAS
Emb.	SOT-23-3(TO-236-3)
Current - Collector Cutoff	100nA
Operating Temperature	-
Transition frequency(fT)	5.5GHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	12V
Emitter-Base Voltage VEBO	3V