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HUASHUO HSL3P20

Fabricante
HUASHUOAsian Brands
N.º de pieza fab.
HSL3P20
Nº LCSC
C22359225
Emb.
SOT-223
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET P-CH 200V 3A SOT-223
Hoja de DatosHUASHUO HSL3P20
Cumplimiento RoHS1 documentos disponibles
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteHUASHUO
Emb.SOT-223
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage200V
Current - Continuous Drain(Id)3A
Ciss-Input Capacitance500pF
Pd - Power Dissipation1.5W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)20pF
RDS(on)2.4Ω@10V
Number1 P-Channel
Gate Charge(Qg)8.5nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeP-Channel
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Descripción

Traducción por IA

HSL3P20 is a high cell density trench P-channel MOSFET, offering excellent on-resistance (R<sub>DS(ON)</sub>) and efficiency for most low-power switching and load switch applications. The HSL3P20 is RoHS compliant and meets green product requirements, and has passed full-function reliability qualification.

Características

Traducción por IA
  • Ultra-low gate charge
  • Excellent Cdv/dt immunity
  • Green/RoHS-compliant devices available
  • Advanced high cell density trench technology