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onsemi KSP10BU
| Fabricante | |
| Cód. da peça | KSP10BU |
| Nº LCSC | C896746 |
| Emb. | TO-92-3 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 25V 60 350mW NPN TO-92-3 Bipolar RF Transistors RoHS |
| Folha de Dados | onsemi KSP10BU |
| Conformidade RoHS | 4 documentos disponíveis |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-92-3 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 3V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| DC Current Gain | 60 | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Current - Collector(Ic) | - | |
| Configuration | Standalone | |
| Transition frequency(fT) | 650MHz | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV | |
| type | NPN | |
| Number | 1 NPN |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-92-3 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 3V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| DC Current Gain | 60 |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Current - Collector(Ic) | - | |
| Configuration | Standalone | |
| Transition frequency(fT) | 650MHz | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV | |
| type | NPN | |
| Number | 1 NPN |
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-92-3 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 3V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| DC Current Gain | 60 | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Current - Collector(Ic) | - | |
| Configuration | Standalone | |
| Transition frequency(fT) | 650MHz | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV | |
| type | NPN | |
| Number | 1 NPN |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-92-3 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 3V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| DC Current Gain | 60 |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Current - Collector(Ic) | - | |
| Configuration | Standalone | |
| Transition frequency(fT) | 650MHz | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV | |
| type | NPN | |
| Number | 1 NPN |
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C896746 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |