onsemi SJD32CT4G-VF01

Producent	onsemi
Nr części prod.	SJD32CT4G-VF01
Nr LCSC	C889878
Opak.	-
Numer Klienta
Klucz. cechy	100V 50 3A 1 PNP PNP Single Bipolar Transistors
Karta Katalogowa	onsemi SJD32CT4G-VF01

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	onsemi
Opak.	-
Transition frequency(fT)	3MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	100V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V
DC Current Gain	50
Pd - Power Dissipation	15W
Current - Collector(Ic)	3A
Number	1 PNP
type	PNP
Vce Saturation(VCE(sat))	1.2V

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	onsemi
Opak.	-
Transition frequency(fT)	3MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	100V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Brak w magazynie

Powiadom mnie

Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.(Tylko do wglądu)	Suma całkowita
1+	$ 0.1586	$ 0.16
10+	$ 0.1254	$ 1.25
30+	$ 0.1112	$ 3.34
100+	$ 0.0934	$ 9.34
500+	$ 0.0855	$ 42.75
1,000+	$ 0.0808	$ 80.80
Standardowa Obudowa2500/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	onsemi
Opak.	-
Transition frequency(fT)	3MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	100V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V
DC Current Gain	50
Pd - Power Dissipation	15W
Current - Collector(Ic)	3A
Number	1 PNP
type	PNP
Vce Saturation(VCE(sat))	1.2V

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	onsemi
Opak.	-
Transition frequency(fT)	3MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	100V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V