Convert Semiconductor CTD10N033
| Fabricante | Convert SemiconductorAsian Brands |
| Cód. da peça | CTD10N033 |
| Nº LCSC | C783206 |
| Emb. | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 52W 100V 30A 27.5mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs |
| Folha de Dados | Convert Semiconductor CTD10N033 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Convert Semiconductor | |
| Emb. | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 3nF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 110pF | |
| RDS(on) | 27.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Convert Semiconductor | |
| Emb. | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 3nF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 110pF | |
| RDS(on) | 27.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Convert Semiconductor | |
| Emb. | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 3nF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 110pF | |
| RDS(on) | 27.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Convert Semiconductor | |
| Emb. | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 3nF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 110pF | |
| RDS(on) | 27.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
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C783206 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
