DIODES 2DC4617QLP-7

Fabricante	DIODES
Cód. da peça	2DC4617QLP-7
Nº LCSC	C526217
Emb.	DFN-3(1x0.6)
Número do Cliente
Atrib. princ.	Voltage Rating: 50V Current: 100mA NPN
Folha de Dados	DIODES 2DC4617QLP-7
Conformidade RoHS	4 documentos disponíveis
Peças alternativas	5

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	DIODES
Emb.	DFN-3(1x0.6)
Current - Collector Cutoff	100nA
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	50V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V
DC Current Gain	120
Pd - Power Dissipation	1W
Current - Collector(Ic)	100mA
Configuration	Standalone
Number	1 NPN
type	NPN
Vce Saturation(VCE(sat))	200mV

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	DIODES
Emb.	DFN-3(1x0.6)
Current - Collector Cutoff	100nA
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	50V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V

Garantia em cada pedido

100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	DIODES
Emb.	DFN-3(1x0.6)
Current - Collector Cutoff	100nA
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	50V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V
DC Current Gain	120
Pd - Power Dissipation	1W
Current - Collector(Ic)	100mA
Configuration	Standalone
Number	1 NPN
type	NPN
Vce Saturation(VCE(sat))	200mV

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	DIODES
Emb.	DFN-3(1x0.6)
Current - Collector Cutoff	100nA
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	50V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V