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VBsemi Elec MMDF2P02HDR2G-VB
| Produttore | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cod. Prod. | MMDF2P02HDR2G-VB |
| Cod. LCSC | C5240537 |
| Imballo | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH ARR 30V 7.3A SO-8 |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec MMDF2P02HDR2G-VB |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 135pF | |
| RDS(on) | 35mΩ@10V;40mΩ@4.5V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V;15nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 135pF | |
| RDS(on) | 35mΩ@10V;40mΩ@4.5V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V;15nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are dual N-channel enhancement-mode MOSFETs fabricated using an N-channel DMOS process, designed for high-speed pulse amplifier and driver applications. The CMLDM7002A features a US pin configuration, while the CMLDM7002AJ features a Japanese pin configuration. These devices offer low on-resistance rDS(ON) and low on-state voltage VDS(ON).
Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free
- Trench power MOSFET
- 100% tested for single-pulse avalanche energy capability
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switch
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Disponibile: 50
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.4033$ 0.3429 | $ 0.34 |
| 10+ | $ 0.3224$ 0.2741 | $ 2.74 |
| 30+ | $ 0.2858$ 0.2430 | $ 7.29 |
| 100+ | $ 0.243$ 0.2066 | $ 20.66 |
| 500+ | $ 0.2128$ 0.1809 | $ 90.45 |
| 1,000+ | $ 0.2017$ 0.1715 | $ 171.50 |
Package Standard4000/Full Reel | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 135pF | |
| RDS(on) | 35mΩ@10V;40mΩ@4.5V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V;15nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 135pF | |
| RDS(on) | 35mΩ@10V;40mΩ@4.5V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V;15nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are dual N-channel enhancement-mode MOSFETs fabricated using an N-channel DMOS process, designed for high-speed pulse amplifier and driver applications. The CMLDM7002A features a US pin configuration, while the CMLDM7002AJ features a Japanese pin configuration. These devices offer low on-resistance rDS(ON) and low on-state voltage VDS(ON).
Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free
- Trench power MOSFET
- 100% tested for single-pulse avalanche energy capability
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switch
C5240537 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HM4803-VB | VBsemi Elec | Simili | SO-8 | 40 | $0.3401 $0.4001 | ||
| SQ4937EY-T1-GE3-VB | VBsemi Elec | Simili | SO-8 | 50 | $0.3401 $0.4001 | ||
| MMDF2P02ER2G-VB | VBsemi Elec | Simili | SO-8 | 20 | $0.3401 $0.4001 | ||
| STS4DPFS30L-VB | VBsemi Elec | Simili | SO-8 | 20 | $0.3267 $0.3843 | ||
| APM9933KC-TRL-VB | VBsemi Elec | Simili | SO-8 | 20 | $0.3267 $0.3843 |