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VBsemi Elec PMV60ENEAR-VB product image
Abbildung ähnlich

VBsemi Elec PMV60ENEAR-VB

Hersteller
VBsemi ElecAsian Brands
Herst.-Teilenr.
PMV60ENEAR-VB
LCSC-Nr.
C52148528
Verp.
SOT-23
Kundennummer
Hauptmerkm.
3W 40V 4.8A 2V 35mΩ@10V 1 N-channel N-Channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs
DatenblattVBsemi Elec PMV60ENEAR-VB
Alternativteile10
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
5+$ 0.2235$ 0.2124$ 1.06
50+$ 0.1863$ 0.1770$ 8.85
150+$ 0.1704$ 0.1619$ 24.29
500+$ 0.1505$ 0.1430$ 71.50
3,000+$ 0.1417$ 0.1347$ 404.10
6,000+$ 0.1363$ 0.1295$ 777.00
Standardgehäuse3000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerVBsemi Elec
Verp.SOT-23
Output Capacitance(Coss)79pF
Pd - Power Dissipation3W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage40V
Current - Continuous Drain(Id)4.8A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)37pF
RDS(on)35mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)442pF
Gate Charge(Qg)8.7nC
Vgs±20V
TypeN-Channel

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Trench power MOSFET
  • 100% Rg and UIS tested
  • RoHS compliant
  • Halogen-free

Alternativteile

MPNHerstellerVerpackungVerfügbarkeitStückpreis
PMV130ENEAR-VBVBsemi ElecSOT-2310$0.2225 $0.2342
PMV65ENEAR-VBVBsemi ElecSOT-2310$0.1795 $0.1889
SQ2318AES-T1_GE3-VBVBsemi ElecSOT-23(TO-236)5$0.1990 $0.2094
SI2318DS-T1-E3-VBVBsemi ElecSOT-23-35$0.2104 $0.2214
DMN4035L-7-VBVBsemi ElecSOT-23-35$0.1882 $0.2214
VBB1630VBsemi ElecSOT-23-3L100$0.1686 $0.1774
PMV130ENEA-VBVBsemi ElecSOT-230$ 0.2138
PMV30ENEAR-VBVBsemi ElecSOT-23-30$0.1440 $0.1515
VB1435VBsemi ElecSOT-230$0.2106 $0.2216
PMV55ENEAR-VBVBsemi ElecSOT-230$ 0.3505