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DOINGTER DOPF160N06

Fabricante
DOINGTERAsian Brands
Cód. da peça
DOPF160N06
Nº LCSC
C42441867
Emb.
TO-220F
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET N-CH 60V 160A TO-220F
Folha de DadosDOINGTER DOPF160N06
Conformidade RoHS2 documentos disponíveis
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteDOINGTER
Emb.TO-220F
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Output Capacitance(Coss)1.582nF
Current - Continuous Drain(Id)160A
Ciss-Input Capacitance5.108nF
Pd - Power Dissipation33W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)81pF
RDS(on)3.6mΩ
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)69.4nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
TypeN-Channel
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Descrição

Tradução por IA

This N-channel MOSFET employs advanced SGT technology and design to deliver excellent on-resistance RDS(on) with low gate charge, making it suitable for a wide range of applications.

Recursos

Tradução por IA
  • VDS = 60 V, ID = 160 A, RDS(ON) < 3.6 mΩ at VGS = 10 V (typical: 3 mΩ)
  • Low gate charge
  • RoHS-compliant devices available
  • Advanced high cell density trench technology for ultra-low RDS(ON)
  • Thermally enhanced package

Aplicações

Tradução por IA
  • Portable device load switch - DC-DC converter