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VBsemi Elec VBN195R03 product image
Abbildung ähnlich

VBsemi Elec VBN195R03

Hersteller
VBsemi ElecAsian Brands
Herst.-Teilenr.
VBN195R03
LCSC-Nr.
C42412798
Verp.
TO-262
Kundennummer
Hauptmerkm.
950V 3.6A 125W 5.4Ω@10V 1 N-channel N-Channel TO-262 Single FETs, MOSFETs
DatenblattVBsemi Elec VBN195R03
Garantie auf jede Bestellung
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200+$ 0.6679$ 133.58
500+$ 0.6448$ 322.40
1,000+$ 0.634$ 634.00
Standardgehäuse50/Full Tube
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerVBsemi Elec
Verp.TO-262
Drain to Source Voltage950V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)320pF
Current - Continuous Drain(Id)3.6A
Ciss-Input Capacitance1.2nF
Pd - Power Dissipation125W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)200pF
RDS(on)5.4Ω@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)78nC
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Dynamic dV/dt rated
  • Repetitive avalanche rated
  • Fast switching
  • Easy paralleling
  • Simple drive requirement
  • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Server and telecom power supplies
  • Switch Mode Power Supplies (SMPS)
  • Power Factor Correction (PFC)
  • Lighting
  • High Intensity Discharge (HID)
  • Fluorescent lamp ballast lighting
  • Industrial applications