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MICROCHIP JANS1N4099-1/TR
| Hersteller | |
| Herst.-Teilenr. | JANS1N4099-1/TR |
| LCSC-Nr. | C3731660 |
| Verp. | DO-35 |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | 1 Independent 6.8V DO-35 Single Zener Diodes RoHS |
| Datenblatt | MICROCHIP JANS1N4099-1/TR |
| RoHS-Konformität | 2 Dokumente verfügbar |
| Alternativteile | 1 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | MICROCHIP | |
| Verp. | DO-35 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | ±5% | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@5.2V | |
| Impedance(Zzt) | 200Ω | |
| Zener Voltage(Nom) | 6.8V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | MICROCHIP | |
| Verp. | DO-35 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | ±5% |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@5.2V | |
| Impedance(Zzt) | 200Ω | |
| Zener Voltage(Nom) | 6.8V |
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| Stk. | E-Preis(Nur als Referenz) | Gesamtbetrag |
|---|---|---|
| 1+ | $ 36.0055 | $ 36.01 |
| 200+ | $ 13.9336 | $ 2786.72 |
| 500+ | $ 13.4446 | $ 6722.30 |
| 1,000+ | $ 13.2025 | $ 13202.50 |
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Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | MICROCHIP | |
| Verp. | DO-35 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | ±5% | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@5.2V | |
| Impedance(Zzt) | 200Ω | |
| Zener Voltage(Nom) | 6.8V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | MICROCHIP | |
| Verp. | DO-35 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | ±5% |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@5.2V | |
| Impedance(Zzt) | 200Ω | |
| Zener Voltage(Nom) | 6.8V |
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Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Alternativteile
| MPN | Hersteller | Alternativtyp | Verpackung | Verfügbarkeit | Stückpreis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N3514A | MICROCHIP | Direkt | DO-35 | 0 | $ 5.7173 |