Infineon BSM15GD120DLCE3224

Fabricante	Infineon
Cód. da peça	BSM15GD120DLCE3224
Nº LCSC	C3171164
Emb.	-
Número do Cliente
Atrib. princ.	145W 15A 1.2kV IGBT Module Single IGBTs RoHS
Folha de Dados	Infineon BSM15GD120DLCE3224
Conformidade RoHS	1 documentos disponíveis

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
Fabricante	Infineon
Emb.	-
Pd - Power Dissipation	145W
Td(off)	300ns;340ns
Td(on)	70ns;80ns
Current - Collector(Ic)	15A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)	70pF
IGBT Type	IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	-
Operating Temperature	-40℃~+125℃
Vce Saturation(VCE(sat))	-
Collector Cut-Off Current (Ices)	-
Reverse Recovery Time(trr)	-
Switching Energy(Eoff)	1.5mJ
Turn-On Energy (Eon)	2mJ
Input Capacitance(Cies)	1nF
Output Capacitance(Coes)	-
Gate Charge(Qg)	160nC@15V

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
Fabricante	Infineon
Emb.	-
Pd - Power Dissipation	145W
Td(off)	300ns;340ns
Td(on)	70ns;80ns
Current - Collector(Ic)	15A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)	70pF
IGBT Type	IGBT Module

Tipo	Descrição
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	-
Operating Temperature	-40℃~+125℃
Vce Saturation(VCE(sat))	-
Collector Cut-Off Current (Ices)	-
Reverse Recovery Time(trr)	-
Switching Energy(Eoff)	1.5mJ
Turn-On Energy (Eon)	2mJ
Input Capacitance(Cies)	1nF
Output Capacitance(Coes)	-
Gate Charge(Qg)	160nC@15V

Garantia em cada pedido

100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Fora de estoque

Avise-me

Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece

Adicionar à Lista BOM

Qtd.	Preço unit.(Apenas para referência)	Valor total
1+	$ 309.7779	$ 309.78
200+	$ 119.8797	$ 23975.94
500+	$ 115.6674	$ 57833.70
1,000+	$ 113.5859	$ 113585.90
Encapsulamento Padrão15/Full Tray

Melhor preço para maior quantidade?

$

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
Fabricante	Infineon
Emb.	-
Pd - Power Dissipation	145W
Td(off)	300ns;340ns
Td(on)	70ns;80ns
Current - Collector(Ic)	15A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)	70pF
IGBT Type	IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	-
Operating Temperature	-40℃~+125℃
Vce Saturation(VCE(sat))	-
Collector Cut-Off Current (Ices)	-
Reverse Recovery Time(trr)	-
Switching Energy(Eoff)	1.5mJ
Turn-On Energy (Eon)	2mJ
Input Capacitance(Cies)	1nF
Output Capacitance(Coes)	-
Gate Charge(Qg)	160nC@15V

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
Fabricante	Infineon
Emb.	-
Pd - Power Dissipation	145W
Td(off)	300ns;340ns
Td(on)	70ns;80ns
Current - Collector(Ic)	15A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)	70pF
IGBT Type	IGBT Module

Tipo	Descrição
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	-
Operating Temperature	-40℃~+125℃
Vce Saturation(VCE(sat))	-
Collector Cut-Off Current (Ices)	-
Reverse Recovery Time(trr)	-
Switching Energy(Eoff)	1.5mJ
Turn-On Energy (Eon)	2mJ
Input Capacitance(Cies)	1nF
Output Capacitance(Coes)	-
Gate Charge(Qg)	160nC@15V