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ROHM RU1C002UNTCL
| Produttore | |
| Cod. Prod. | RU1C002UNTCL |
| Cod. LCSC | C2981603 |
| Imballo | SC-85 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 20V 200mA SC-85 |
| Scheda Tecnica | ROHM RU1C002UNTCL |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | SC-85 | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| RDS(on) | 2.4Ω@1.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vgs | ±8V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | SC-85 | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| RDS(on) | 2.4Ω@1.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vgs | ±8V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
MP9N20 is a silicon N-channel enhancement-mode MOSFET fabricated using advanced MOSFET technology, offering reduced conduction losses, improved switching performance, and enhanced avalanche energy. This transistor is an ideal device for switch-mode power supplies, high-speed switching, and general-purpose applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Low voltage drive(1.2V drive)
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
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Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0531 | $ 0.53 |
| 100+ | $ 0.0414 | $ 4.14 |
| 300+ | $ 0.0355 | $ 10.65 |
| 3,000+ | $ 0.0312 | $ 93.60 |
| 6,000+ | $ 0.0277 | $ 166.20 |
| 9,000+ | $ 0.0259 | $ 233.10 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | SC-85 | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| RDS(on) | 2.4Ω@1.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vgs | ±8V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | SC-85 | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| RDS(on) | 2.4Ω@1.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vgs | ±8V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
MP9N20 is a silicon N-channel enhancement-mode MOSFET fabricated using advanced MOSFET technology, offering reduced conduction losses, improved switching performance, and enhanced avalanche energy. This transistor is an ideal device for switch-mode power supplies, high-speed switching, and general-purpose applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Low voltage drive(1.2V drive)
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching
C2981603 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPM2021NEC3 | TECH PUBLIC | Simili | SOT-323 | 210 | $ 0.0606 | ||
| RU1J002YNTCL | ROHM | Simili | SOT-323 | 22,280 | $ 0.0569 | ||
| BSS138PW | ElecSuper | Simili | SOT-323 | 16,000 | $ 0.0242 | ||
| BSS138W-7-F-ES | ElecSuper | Simili | SOT-323 | 28,500 | $ 0.0239 | ||
| BSS138W | ElecSuper | Simili | SOT-323 | 3,600 | $ 0.0259 |
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