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onsemi FDB070AN06A0

Fabricant
Réf. Fab.
FDB070AN06A0
Réf. LCSC
C241747
Condit.
D2PAK(TO-263)
Numéro Client
Caract. clés
N-Channel, Current: 80A, Voltage: 60V
Fiche Techniqueonsemi FDB070AN06A0
Conformité RoHS3 documents disponibles
Pièces alternatives5
Garantie sur chaque commande
100% Authentique · Retour ou échange sous 30 Jours

Spécifications du Produit

Tout
TypeDescription
CatégorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricantonsemi
Condit.D2PAK(TO-263)
Output Capacitance(Coss)510pF
Ciss-Input Capacitance3nF
Pd - Power Dissipation175W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage60V
Current - Continuous Drain(Id)80A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)230pF
RDS(on)7mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)66nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel

Caractéristiques

Traduction par IA
  • R DS(on) = 6.1 mΩ (typ) at V GS = 10 V, I D = 80 A
  • Q g(tot) = 51 nC (typ) at V GS = 10 V
  • Low Miller charge
  • Low Q rr body diode
  • UIS capability (single pulse and repetitive pulse)

Applications

Traduction par IA
  • Synchronous rectification for ATX/server/telecom power supplies - Battery protection circuits - Motor drives and UPS