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EDA 모델EasyEDA
JSMSEMI SI2336DS-T1-GE3-JSM
| 제조업체 | JSMSEMIAsian Brands |
| 제조사 품번 | SI2336DS-T1-GE3-JSM |
| LCSC 번호 | C18194702 |
| 포장 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 30V 5.8A 1.4V 350mW 40mΩ@4.5V N-Channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| 데이터시트 | JSMSEMI SI2336DS-T1-GE3-JSM |
| RoHS 준수 | 6개 문서 이용 가능 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@4.5V | |
| Number | - | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@4.5V | |
| Number | - | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Type | N-Channel |
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개요
AI 번역
DMC3036LSD-13 utilizes advanced trench technology to deliver excellent on-resistance RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET can be used to form high-side switches for level shifting, as well as a wide variety of other applications.
주요 특징
AI 번역
- High current capability
- Low on-resistance
응용 분야
AI 번역
- General-purpose switching and low-voltage power supply circuits
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.1068 | $ 0.11 |
| 200+ | $ 0.0426 | $ 8.52 |
| 500+ | $ 0.0412 | $ 20.60 |
| 1,000+ | $ 0.0405 | $ 40.50 |
표준 패키지3000/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@4.5V | |
| Number | - | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@4.5V | |
| Number | - | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
DMC3036LSD-13 utilizes advanced trench technology to deliver excellent on-resistance RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET can be used to form high-side switches for level shifting, as well as a wide variety of other applications.
주요 특징
AI 번역
- High current capability
- Low on-resistance
응용 분야
AI 번역
- General-purpose switching and low-voltage power supply circuits
C18194702 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |