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VISHAY ESH2B-M3/5BT product image
Abbildung ähnlich

VISHAY ESH2B-M3/5BT

Hersteller
VISHAY
Herst.-Teilenr.
ESH2B-M3/5BT
LCSC-Nr.
C17695635
Verp.
DO-214AA(SMB)
Kundennummer
Hauptmerkm.
35ns 100V 930mV@2A 2A DO-214AA(SMB) Single Diodes RoHS
DatenblattVISHAY ESH2B-M3/5BT
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 0.2546$ 0.25
200+$ 0.1016$ 20.32
500+$ 0.0982$ 49.10
1,000+$ 0.0965$ 96.50
Standardgehäuse3200/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes
HerstellerVISHAY
Verp.DO-214AA(SMB)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Diode Configuration-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃
Pd - Power Dissipation150mW
Voltage - Forward(Vf@If)930mV@2A
Reverse Leakage Current (Ir)2uA@100V
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current-
Current - Rectified2A
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Glass passivated junction
  • Suitable for automatic placement
  • Ultra-fast recovery time for high efficiency
  • Low forward voltage, low power dissipation
  • High forward surge capability
  • MSL level 1 per J-STD-020, LF max peak temperature 260℃

Anwendungen

KI-Übersetzung

For high-frequency rectification and freewheeling applications in consumer-grade switch-mode converters and inverters