- Rozmieszczenie wyprowadzeń
- Footprint
Zdjęcia poglądowe
Modele EDAEasyEDA
VISHAY SI7850DP-T1-GE3
| Producent | |
| Nr części prod. | SI7850DP-T1-GE3 |
| Nr LCSC | C142531 |
| Opak. | PowerPAKSO-8 |
| Numer Klienta | |
| Klucz. cechy | MOSFET N-CH 60V 10.3A PowerPAKSO-8 |
| Karta Katalogowa | VISHAY SI7850DP-T1-GE3 |
| Zgodność z RoHS | 2 dokumentów dostępnych |
| Części alternatywne | 5 |
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | VISHAY | |
| Opak. | PowerPAKSO-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 31mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | VISHAY | |
| Opak. | PowerPAKSO-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10.3A |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 31mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Funkcje
Tłumaczenie AI
- Halogen-free According to IEC 61249-2-2 Available
- TrenchFET Power MOSFETs
- New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile
- PWM Optimized for Fast Switching
- 100 % Rg Tested
- RoHS COMPLIANT HALOGEN FREE Available
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications
- Secondary Synchronous Rectifier
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 314
314 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
| Szt. | Cena jedn. | Suma całkowita |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.46 | $ 1.46 |
| 10+ | $ 1.2129 | $ 12.13 |
| 30+ | $ 1.0772 | $ 32.32 |
| 100+ | $ 0.9238 | $ 92.38 |
| 500+ | $ 0.856 | $ 428.00 |
| 1,000+ | $ 0.8253 | $ 825.30 |
Standardowa Obudowa3000/Full Reel | ||
Lepsza cena za większą ilość?
$
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | VISHAY | |
| Opak. | PowerPAKSO-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 31mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | VISHAY | |
| Opak. | PowerPAKSO-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10.3A |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 31mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Funkcje
Tłumaczenie AI
- Halogen-free According to IEC 61249-2-2 Available
- TrenchFET Power MOSFETs
- New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile
- PWM Optimized for Fast Switching
- 100 % Rg Tested
- RoHS COMPLIANT HALOGEN FREE Available
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications
- Secondary Synchronous Rectifier
C142531 Biblioteka EasyEDA
Zgodność & Kody Eksportowe
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Części alternatywne
| MPN | Producent | Typ alternatywny | Opakowanie | Dostępność | Cena jednostkowa | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si7850DP(XBLW) | XBLW | Podobne | DFN5x6-8L | 2,040 | $ 0.1589 | ||
| BSC360N15NS3 G | Infineon | Podobne | TDSON-8(5x6) | 861 | $ 1.2575 | ||
| MOT6525G | MOT | Podobne | PDFN-8L(5x6) | 2,480 | $0.1031 $0.1145 | ||
| SIR870ADP-T1-GE3 | VISHAY | Podobne | PowerPAK-SO-8 | 3,000 | $ 1.9243 | ||
| TDM2618 | Techcode | Podobne | DFN-8(5x6) | 136 | $ 0.6678 |
5 więcej części alternatywnych.Wyświetl wszystkie zamienniki