- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
onsemi FDMS86202ET120
| Produttore | |
| Cod. Prod. | FDMS86202ET120 |
| Cod. LCSC | C891095 |
| Imballo | Power56-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMS86202ET120 |
| Conformità RoHS | 4 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | Power56-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 460pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 120V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 102A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 17pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.275nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | Power56-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 460pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 120V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 102A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 17pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.275nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Extended Td rating to 175℃
- Shielded Gate MOSFET Technology
- Max rDS(on)=7.2 mΩ at VGS=10 V, ID=13.5 A
- Max ΓDS(on)=10.3 mΩ at VGS=6 V, lD=11.5 A
- Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS Compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Conversion
- Power 56
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 6.9648 | $ 6.96 |
| 10+ | $ 6.2175 | $ 62.18 |
| 30+ | $ 5.774 | $ 173.22 |
| 100+ | $ 5.3256 | $ 532.56 |
| 500+ | $ 5.1192 | $ 2559.60 |
| 1,000+ | $ 5.0266 | $ 5026.60 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | Power56-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 460pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 120V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 102A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 17pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.275nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | Power56-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 460pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 120V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 102A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 17pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.275nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Extended Td rating to 175℃
- Shielded Gate MOSFET Technology
- Max rDS(on)=7.2 mΩ at VGS=10 V, ID=13.5 A
- Max ΓDS(on)=10.3 mΩ at VGS=6 V, lD=11.5 A
- Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS Compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Conversion
- Power 56
C891095 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XRS100N12HF | XNRUSEMI | Simili | PDFN-8L(5x6) | 2,476 | $0.6743 $0.7097 | ||
| SP012N05GNK | Siliup | Simili | PDFN-8L(5x6) | 3,396 | $ 0.7432 | ||
| MSB001Y | MIRACLE POWER | Simili | PDFN5x6-8L | 4 | $ 0.9452 | ||
| DON110N12T | DOINGTER | Simili | DFN5x6-8 | 2,262 | $ 0.5042 | ||
| TDM3750 | Techcode | Simili | DFN-8(5x6) | 100 | $ 1.342 |
5 altri componenti alternativi.Visualizza tutti i sostituti