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Modelli EDAEasyEDA
ST STP18N60M2
| Produttore | |
| Cod. Prod. | STP18N60M2 |
| Cod. LCSC | C726098 |
| Imballo | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 13A TO-220 |
| Scheda Tecnica | ST STP18N60M2 |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 791pF | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.3pF | |
| RDS(on) | 255mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 21.5nC@480V | |
| Vgs | ±25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 791pF | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.3pF | |
| RDS(on) | 255mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 21.5nC@480V | |
| Vgs | ±25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching applications LLC converters, resonant converters
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Disponibile: 157
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.5094 | $ 1.51 |
| 10+ | $ 1.2696 | $ 12.70 |
| 50+ | $ 1.1358 | $ 56.79 |
| 100+ | $ 0.9873 | $ 98.73 |
| 500+ | $ 0.9204 | $ 460.20 |
| 1,000+ | $ 0.891 | $ 891.00 |
Package Standard50/Full Tube | ||
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 791pF | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.3pF | |
| RDS(on) | 255mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 21.5nC@480V | |
| Vgs | ±25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 791pF | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.3pF | |
| RDS(on) | 255mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 21.5nC@480V | |
| Vgs | ±25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching applications LLC converters, resonant converters
C726098 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP12NM50-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-220AB | 62 | $1.9102 $2.2472 | ||
| STP18NM60N | ST | Simili | TO-220 | 205 | $ 1.7879 | ||
| XR65R250Tg2 | XNRUSEMI | Simili | TO-220AB | 2 | $ 0.7146 | ||
| 13N65RT | HL | Simili | TO-220 | 884 | $ 0.4386 | ||
| STP24N60M2 | ST | Simili | TO-220 | 234 | $ 1.5258 |