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UMW SVT078R0ND(UMW)

Fabricant
UMWAsian Brands
Réf. Fab.
SVT078R0ND(UMW)
Réf. LCSC
C668216
Condit.
TO-252
Numéro Client
Caract. clés
MOSFET N-CH 68V 88A TO-252
Fiche TechniqueUMW SVT078R0ND(UMW)
Conformité RoHS2 documents disponibles
Pièces alternatives2
Garantie sur chaque commande
100% Authentique · Retour ou échange sous 30 Jours

Spécifications du Produit

Tout
TypeDescription
CatégorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricantUMW
Condit.TO-252
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage68V
Output Capacitance(Coss)323pF
Current - Continuous Drain(Id)88A
Ciss-Input Capacitance4.1nF
Pd - Power Dissipation167W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)242pF
RDS(on)6.3mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)86nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
TypeN-Channel

Description

Traduction par IA

These N-channel enhancement mode power MOSFETs are designed with advanced trench technology, featuring excellent R<sub>DS(ON)</sub> and low gate charge, RoHS compliant.

Caractéristiques

Traduction par IA
  • Fast switching
  • Low on-resistance (RDS(ON) ≤ 29mΩ)
  • Low gate charge
  • VDS(V) = 68 V
  • ID = 88 A \left(VGS = 10 V\right)
  • RDS(ON) = 6.3 m Ω \left(VGS = 10 V\right)