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DIODES DMN3060LCA3-7

Fabricante
DIODES
N.º de pieza fab.
DMN3060LCA3-7
Nº LCSC
C6225374
Emb.
X4-DSN1006-3
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET N-CH 30V 3.9A X4-DSN1006-3
Hoja de DatosDIODES DMN3060LCA3-7
Cumplimiento RoHS4 documentos disponibles
Piezas alternativas2
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteDIODES
Emb.X4-DSN1006-3
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage30V
Output Capacitance(Coss)81pF
Current - Continuous Drain(Id)3.9A
Ciss-Input Capacitance128pF
Pd - Power Dissipation1.35W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)6.3pF
RDS(on)46mΩ@8V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)1.118nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))830mV
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Descripción

Traducción por IA

This next-generation MOSFET is designed to minimize footprint in handheld and mobile applications. The device can replace many small-signal MOSFETs with minimal board space requirements.

Características

Traducción por IA
  • Low Qg and Qgd
  • Compact package
  • Ultra-thin design, height only 0.20mm
  • Fully lead-free, RoHS compliant
  • Halogen and antimony free, "Green" device

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • Handheld and Mobile Applications