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VISHAY SIJA54DP-T1-GE3 product image
Abbildung ähnlich

VISHAY SIJA54DP-T1-GE3

Hersteller
Herst.-Teilenr.
SIJA54DP-T1-GE3
LCSC-Nr.
C5900042
Verp.
PowerPAKSO-8
Kundennummer
Hauptmerkm.
40V 32.2A 2.4V 4.4W 1 N-channel PowerPAKSO-8 Single FETs, MOSFETs RoHS
DatenblattVISHAY SIJA54DP-T1-GE3
Alternativteile5
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200+$ 0.438$ 87.60
500+$ 0.4228$ 211.40
1,000+$ 0.4152$ 415.20
Standardgehäuse3000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerVISHAY
Verp.PowerPAKSO-8
Drain to Source Voltage40V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)32.2A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.4V
Pd - Power Dissipation4.4W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)105pF
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)5.3nF
Gate Charge(Qg)-

Merkmale

KI-Übersetzung
  • TrenchFET 4th generation power MOSFET
  • Optimized for lowest R<sub>DS</sub> - Q<sub>oss</sub> figure of merit
  • 100% R<sub>q</sub> and UIS tested
  • Q<sub>gd</sub>/Q<sub>gs</sub> ratio < 1, optimized switching characteristics

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Synchronous rectification
  • OR-ing diode
  • High power density DC/DC
  • Voltage Regulator Module (VRM) and embedded DC/DC
  • DC/AC inverter
  • Load switch

Alternativteile

MPNHerstellerAlternativtypVerpackungVerfügbarkeitStückpreis
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