MICROCHIP 2N6051
| Produttore | |
| Cod. Prod. | 2N6051 |
| Cod. LCSC | C5887541 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 80V 18000 12A PNP Single Bipolar Transistors |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N6051 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | MICROCHIP | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 18000 | |
| Current - Collector(Ic) | 12A | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3V;2V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | MICROCHIP | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 18000 | |
| Current - Collector(Ic) | 12A | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3V;2V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Qualified to MIL-PRF-19500/501
- Device types: 2N6051, 2N6052
- Qualification levels: JAN, JANTX, JANTXV
- Linear derating at 1.0W/°C for Tc > +25°C
- Pulse test: pulse width = 300μs, duty cycle ≤ 2.0%
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 124.4969 | $ 124.50 |
| 200+ | $ 49.6761 | $ 9935.22 |
| 500+ | $ 48.0153 | $ 24007.65 |
| 1,000+ | $ 47.1955 | $ 47195.50 |
Package Standard1/Full Bag | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | MICROCHIP | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 18000 | |
| Current - Collector(Ic) | 12A | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3V;2V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | MICROCHIP | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 18000 | |
| Current - Collector(Ic) | 12A | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3V;2V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Qualified to MIL-PRF-19500/501
- Device types: 2N6051, 2N6052
- Qualification levels: JAN, JANTX, JANTXV
- Linear derating at 1.0W/°C for Tc > +25°C
- Pulse test: pulse width = 300μs, duty cycle ≤ 2.0%
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |

