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PN Junction Semiconductor P3M06060K4 product image
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PN Junction Semiconductor P3M06060K4

Fabricante
PN Junction Semiconductor
N.º de pieza fab.
P3M06060K4
Nº LCSC
C5823476
Emb.
TO-247-4L
Número de Cliente
Atrib. clave
188W 650V 40A 79mΩ@15V 1 N-channel N-Channel TO-247-4L Single FETs, MOSFETs RoHS
Hoja de DatosPN Junction Semiconductor P3M06060K4
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricantePN Junction Semiconductor
Emb.TO-247-4L
Output Capacitance(Coss)139pF
Ciss-Input Capacitance1.853nF
Pd - Power Dissipation188W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage650V
Current - Continuous Drain(Id)40A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)8.3pF
RDS(on)79mΩ@15V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)53.1nC
Vgs-
TypeN-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V
Ayuda y comentariosMostrar productos similares (0) >

Características

Traducción por IA
  • AEC-Q101 compliant
  • High blocking voltage, low on-resistance
  • High-frequency operation
  • Ultra-low gate-drain charge (Qgd)
  • 100% tested for single-pulse avalanche withstand capability (UIS)

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Solar inverters - Electric vehicle battery chargers - High-voltage DC/DC converters - Switch-mode power supplies