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VBsemi Elec FDN336P-NL-VB
| Fabricante | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cód. da peça | FDN336P-NL-VB |
| Nº LCSC | C558123 |
| Emb. | SOT-23(TO-236) |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23(TO-236) |
| Folha de Dados | VBsemi Elec FDN336P-NL-VB |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | SOT-23(TO-236) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 835pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 155pF | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 500mV | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | SOT-23(TO-236) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 835pF |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 155pF | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 500mV | |
| Type | P-Channel |
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >
Recursos
Tradução por IA
- Meets halogen-free requirements as defined by IEC 61249-2-21
- Trench power MOSFET
- 100% Rg tested
- RoHS compliant per directive 2002/95/EC
Aplicações
Tradução por IA
- Load switch
- Power amplifier switch
- DC/DC converter
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | SOT-23(TO-236) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 835pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 155pF | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 500mV | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | SOT-23(TO-236) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 835pF |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 155pF | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 500mV | |
| Type | P-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- Meets halogen-free requirements as defined by IEC 61249-2-21
- Trench power MOSFET
- 100% Rg tested
- RoHS compliant per directive 2002/95/EC
Aplicações
Tradução por IA
- Load switch
- Power amplifier switch
- DC/DC converter
C558123 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |