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VBsemi Elec 2SJ327-Z-E1-AZ-VB
| Hersteller | VBsemi ElecAsian Brands |
| Herst.-Teilenr. | 2SJ327-Z-E1-AZ-VB |
| LCSC-Nr. | C557922 |
| Verp. | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | MOSFET P-CH 60V 30A TO-252 |
| Datenblatt | VBsemi Elec 2SJ327-Z-E1-AZ-VB |
| Alternativteile | 5 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | VBsemi Elec | |
| Verp. | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 100pF | |
| RDS(on) | 61mΩ@10V;72mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V | |
| Type | P-Channel |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | VBsemi Elec | |
| Verp. | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 100pF | |
| RDS(on) | 61mΩ@10V;72mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V | |
| Type | P-Channel |
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Merkmale
KI-Übersetzung
- Trench power MOSFET
- 100% single-pulse avalanche energy tested
Anwendungen
KI-Übersetzung
- Load Switch
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| Stk. | E-Preis(Nur als Referenz) | Gesamtbetrag |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5445$ 0.5173 | $ 0.52 |
| 10+ | $ 0.538$ 0.5111 | $ 5.11 |
| 30+ | $ 0.5332$ 0.5066 | $ 15.20 |
| 100+ | $ 0.5267$ 0.5004 | $ 50.04 |
Standardgehäuse2500/Full Reel | ||
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Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | VBsemi Elec | |
| Verp. | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 100pF | |
| RDS(on) | 61mΩ@10V;72mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V | |
| Type | P-Channel |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | VBsemi Elec | |
| Verp. | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 100pF | |
| RDS(on) | 61mΩ@10V;72mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V | |
| Type | P-Channel |
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Merkmale
KI-Übersetzung
- Trench power MOSFET
- 100% single-pulse avalanche energy tested
Anwendungen
KI-Übersetzung
- Load Switch
C557922 EasyEDA-Bibliothek
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Alternativteile
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