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DOINGTER DB5R5N2G

Fabricante
DOINGTERAsian Brands
N.º de pieza fab.
DB5R5N2G
Nº LCSC
C53281940
Emb.
TO-252
Número de Cliente
Atrib. clave
20V 60A 33W 4.2Ω@4.5V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs
Hoja de DatosDOINGTER DB5R5N2G
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteDOINGTER
Emb.TO-252
Drain to Source Voltage20V
Operating Temperature-50℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)267pF
Current - Continuous Drain(Id)60A
Ciss-Input Capacitance1.862nF
Pd - Power Dissipation33W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)224pF
RDS(on)4.2Ω@4.5V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)25nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))700mV
TypeN-Channel
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Descripción

Traducción por IA

This N-channel MOSFET utilizes advanced trench technology and design, delivering excellent RDS(on) and low gate charge. Suitable for a wide range of applications.

Características

Traducción por IA
  • VDS=20V, ID=60A, RDS(ON)<5.5mΩ at VGS=4.5V (typical: 4.2mΩ)
  • Low gate charge.
  • Green/eco-friendly device available.
  • Advanced high cell density trench technology for ultra-low RDS(ON).
  • Excellent package with superior thermal dissipation.
  • Moisture Sensitivity Level: MSL3.