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ElecSuper 2N7002DW-7-F-ES

Fabricante
ElecSuperAsian Brands
Cód. da peça
2N7002DW-7-F-ES
Nº LCSC
C5224252
Emb.
SOT-363
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET N-CH ARR 60V 300mA SOT-363
Folha de DadosElecSuper 2N7002DW-7-F-ES
Conformidade RoHS1 documentos disponíveis
Peças alternativas5
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Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
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50+$ 0.0287$ 1.44
150+$ 0.0237$ 3.56
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6,000+$ 0.0167$ 100.20
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel
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Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteElecSuper
Emb.SOT-363
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Output Capacitance(Coss)11pF
Current - Continuous Drain(Id)300mA
Ciss-Input Capacitance28pF
Pd - Power Dissipation350mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss)4pF
RDS(on)1.85Ω@10V;2.05Ω@4.5V
Number2 N-Channel
Gate Charge(Qg)1.8nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V
TypeN-Channel
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Descrição

Tradução por IA

2N7002DW-7-F-ES is an N-channel enhancement-mode MOSFET. Utilizing advanced trench technology and design, it delivers excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for DC-DC conversion, power switching, and charging circuits. The standard product 2N7002DW-7-F-ES is lead-free.

Recursos

Tradução por IA
  • 60V, RDS(ON) = 1.85Ω (typical), VGS = 10V
  • RDS(ON) = 2.05Ω (typical), VGS = 4.5V
  • Trench MOSFET technology
  • High-density cell design for low RDS(ON)
  • ESD protection - Human Body Model (HBM): 2kV
  • Material: Halogen-free
  • Robust and reliable
  • Avalanche-rated
  • Low leakage current

Aplicações

Tradução por IA
  • PWM applications
  • Load switching
  • Power management for portable/desktop computers
  • DC/DC conversion

Peças alternativas

MPNFabricanteTipo alternativoEmbalagemDisponibilidadePreço unitário
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