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HXY MOSFET IPA60R360P7S-HXY
| Produttore | HXY MOSFETAsian Brands |
| Cod. Prod. | IPA60R360P7S-HXY |
| Cod. LCSC | C52098352 |
| Imballo | TO-220F |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 650V 15A 52W 180mΩ@18V 1 N-channel N-Channel TO-220F Single FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET IPA60R360P7S-HXY |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | TO-220F | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.9pF | |
| RDS(on) | 180mΩ@18V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 11.2nC | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | TO-220F | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.9pF | |
| RDS(on) | 180mΩ@18V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 11.2nC | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High-speed switching and low capacitance
- High blocking voltage and low on-resistance
- Easy parallel connection
- Simple drive
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- Power factor correction module
- Switch-mode power supply
- DC-AC inverter
- High-voltage DC/DC converter
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.6638$ 0.6307 | $ 0.63 |
| 10+ | $ 0.5376$ 0.5108 | $ 5.11 |
| 50+ | $ 0.4737$ 0.4501 | $ 22.51 |
| 100+ | $ 0.4114$ 0.3909 | $ 39.09 |
| 500+ | $ 0.3737$ 0.3551 | $ 177.55 |
| 1,000+ | $ 0.3557$ 0.3380 | $ 338.00 |
Package Standard50/Full Tube | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | TO-220F | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.9pF | |
| RDS(on) | 180mΩ@18V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 11.2nC | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | TO-220F | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.9pF | |
| RDS(on) | 180mΩ@18V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 11.2nC | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High-speed switching and low capacitance
- High blocking voltage and low on-resistance
- Easy parallel connection
- Simple drive
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- Power factor correction module
- Switch-mode power supply
- DC-AC inverter
- High-voltage DC/DC converter
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | |
| USHTS | |
| TARIC | |
| CAHTS | |
| BRHTS | |
| INHTS | |
| MXHTS |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | |
| USHTS | |
| TARIC |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | |
| BRHTS | |
| INHTS | |
| MXHTS |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WSJM65R260XQ-HXY | HXY MOSFET | Simili | TO-220F | 26 | $0.7193 $0.7992 | ||
| AOTF15S65L | HXY MOSFET | Simili | TO-220F | 2 | $1.7872 $2.2339 | ||
| STF14NM65N-HXY | HXY MOSFET | Simili | TO-220F | 9 | $0.6434 $1.2867 | ||
| AOTF11S65L | HXY MOSFET | Simili | TO-220F | 23 | $0.9575 $1.915 | ||
| SPA11N60C3-HXY | HXY MOSFET | Simili | TO-220F | 2 | $0.5117 $1.0234 |