Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
ROHM QS8M31TR
| Produttore | |
| Cod. Prod. | QS8M31TR |
| Cod. LCSC | C509916 |
| Imballo | TSMT8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 60V 1.1W 1 N-Channel + 1 P-Channel TSMT8 FET, MOSFET Arrays RoHS |
| Scheda Tecnica | ROHM QS8M31TR |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | TSMT8 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A;2A | |
| RDS(on) | 112mΩ@10V;210mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF;750pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@5V;7.2nC@5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;3V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | TSMT8 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A;2A | |
| RDS(on) | 112mΩ@10V;210mΩ@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF;750pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@5V;7.2nC@5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;3V |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Compact SMT package (TSMT8)
- Lead-free finish; RoHS compliant
- Halogen-free
Applicazioni
Traduzione AI
- Switch
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.6971 | $ 0.70 |
| 200+ | $ 0.2697 | $ 53.94 |
| 500+ | $ 0.2614 | $ 130.70 |
| 1,000+ | $ 0.2565 | $ 256.50 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | TSMT8 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A;2A | |
| RDS(on) | 112mΩ@10V;210mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF;750pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@5V;7.2nC@5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;3V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | TSMT8 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A;2A | |
| RDS(on) | 112mΩ@10V;210mΩ@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF;750pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@5V;7.2nC@5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;3V |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Compact SMT package (TSMT8)
- Lead-free finish; RoHS compliant
- Halogen-free
Applicazioni
Traduzione AI
- Switch
C509916 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QH8MC5TCR | ROHM | Simili | TSMT-8 | 15 | $ 2.0487 |