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EDA 모델EasyEDA
TI CSD19537Q3
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | CSD19537Q3 |
| LCSC 번호 | C478469 |
| 포장 | VSON-8-EP(3.3x3.3) |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET N-CH 100V 50A VSON-8-EP(3.3x3.3) |
| 데이터시트 | TI CSD19537Q3 |
| RoHS 준수 | 2개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | TI | |
| 포장 | VSON-8-EP(3.3x3.3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 326pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 17.3pF | |
| RDS(on) | 12.1mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | TI | |
| 포장 | VSON-8-EP(3.3x3.3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 326pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 17.3pF | |
| RDS(on) | 12.1mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
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재고 있음: 2,580
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.8449 | $ 0.84 |
| 10+ | $ 0.7498 | $ 7.50 |
| 30+ | $ 0.6612 | $ 19.84 |
| 100+ | $ 0.5939 | $ 59.39 |
| 500+ | $ 0.5677 | $ 283.85 |
| 1,000+ | $ 0.5545 | $ 554.50 |
표준 패키지2500/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | TI | |
| 포장 | VSON-8-EP(3.3x3.3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 326pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 17.3pF | |
| RDS(on) | 12.1mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | TI | |
| 포장 | VSON-8-EP(3.3x3.3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 326pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 17.3pF | |
| RDS(on) | 12.1mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
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C478469 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 대체 유형 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD19537Q3T | TI | 대체 패키징 | VSONP-8(3.3x3.3) | 630 | $ 2.2395 | ||
| VBGQF1101N | VBsemi Elec | 유사 제품 | DFN-8(3x3) | 5 | $ 0.8358 | ||
| LWT1H13AD3 | Lewa Micro | 유사 제품 | PDFN-8L(3.3x3.3) | 4,355 | $ 0.2893 | ||
| AGM12N10AP | AGMSEMI | 유사 제품 | PDFN3.3x3.3-8 | 33,780 | $0.3566 $0.3753 | ||
| CMSC130N10 | Cmos | 유사 제품 | DFN-8(3.3x3.3) | 470 | $0.2476 $0.2606 |