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DIODES ZXMHC6A07N8TC
| Produttore | |
| Cod. Prod. | ZXMHC6A07N8TC |
| Cod. LCSC | C460274 |
| Imballo | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH+P-CH ARR 60V 1.39A 1.28A SO-8 |
| Scheda Tecnica | DIODES ZXMHC6A07N8TC |
| Conformità RoHS | 5 documenti disponibili |
| Parti alternative | 2 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 19.5pF | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.39A;1.28A | |
| RDS(on) | 250mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.36W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | Full bridge | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8.7pF | |
| Number | 2 N-Channel + 2 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 166pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.2nC@10V | |
| Vgs | ±20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 19.5pF | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.39A;1.28A | |
| RDS(on) | 250mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.36W |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | Full bridge | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8.7pF | |
| Number | 2 N-Channel + 2 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 166pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.2nC@10V | |
| Vgs | ±20V |
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Descrizione
Traduzione AI
This new generation complementary MOSFET H-Bridge features low on-resistance achievable with low gate drive.
Caratteristiche
Traduzione AI
- 2×N + 2×P channels in a SOIC package
Applicazioni
Traduzione AI
- DC Motor control
- DC-AC Inverters
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100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 1,665
1,665 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.8703 | $ 0.87 |
| 10+ | $ 0.6914 | $ 6.91 |
| 30+ | $ 0.6019 | $ 18.06 |
| 100+ | $ 0.5141 | $ 51.41 |
| 500+ | $ 0.4604 | $ 230.20 |
| 1,000+ | $ 0.4344 | $ 434.40 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 19.5pF | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.39A;1.28A | |
| RDS(on) | 250mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.36W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | Full bridge | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8.7pF | |
| Number | 2 N-Channel + 2 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 166pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.2nC@10V | |
| Vgs | ±20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 19.5pF | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.39A;1.28A | |
| RDS(on) | 250mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.36W |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | Full bridge | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8.7pF | |
| Number | 2 N-Channel + 2 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 166pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.2nC@10V | |
| Vgs | ±20V |
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Descrizione
Traduzione AI
This new generation complementary MOSFET H-Bridge features low on-resistance achievable with low gate drive.
Caratteristiche
Traduzione AI
- 2×N + 2×P channels in a SOIC package
Applicazioni
Traduzione AI
- DC Motor control
- DC-AC Inverters
C460274 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMHC6070LSD-13 | DIODES | Simili | SO-8 | 64 | $0.9375 $1.116 | ||
| ZXMHC6A07N8 | DIODES | Simili | SOIC-8 | 0 | $ 0.5719 |
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