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EDA-ModelleEasyEDA
onsemi NSDP301MX2WT5G
| Hersteller | |
| Herst.-Teilenr. | NSDP301MX2WT5G |
| LCSC-Nr. | C4468231 |
| Verp. | DFN-2(0.6x1) |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | 100mA Standalone 810mV@1mA 80V DFN-2(0.6x1) RF Diodes RoHS |
| Datenblatt | onsemi NSDP301MX2WT5G |
| RoHS-Konformität | 3 Dokumente verfügbar |
| Alternativteile | 2 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/RF Diodes | |
| Hersteller | onsemi | |
| Verp. | DFN-2(0.6x1) | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 100mA | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50nA | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 810mV@1mA | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 80V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/RF Diodes | |
| Hersteller | onsemi | |
| Verp. | DFN-2(0.6x1) | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 100mA |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Diode Configuration | Standalone | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50nA | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 810mV@1mA | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 80V |
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|---|---|---|
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Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/RF Diodes | |
| Hersteller | onsemi | |
| Verp. | DFN-2(0.6x1) | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 100mA | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50nA | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 810mV@1mA | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 80V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/RF Diodes | |
| Hersteller | onsemi | |
| Verp. | DFN-2(0.6x1) | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 100mA |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Diode Configuration | Standalone | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50nA | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 810mV@1mA | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 80V |
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C4468231 EasyEDA-Bibliothek
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Alternativteile
| MPN | Hersteller | Alternativtyp | Verpackung | Verfügbarkeit | Stückpreis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSVDP301MX2WT5G | onsemi | Ähnliche | DFN-2(0.6x1) | 0 | $ 0.2271 | ||
| BAR88-02LRHE6327 | Infineon | Ähnliche | SOD-882 | 0 | $ 0.1302 |
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