onsemi NVMFS5C430NWFET1G
| Produttore | |
| Cod. Prod. | NVMFS5C430NWFET1G |
| Cod. LCSC | C3277262 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 40V 3.5V 1.7mΩ@10V 1 N-channel Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | onsemi NVMFS5C430NWFET1G |
| Conformità RoHS | 3 documenti disponibili |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A;185A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.8W;106W | |
| RDS(on) | 1.7mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A;185A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.8W;106W | |
| RDS(on) | 1.7mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Compact 5x6 mm package for space-constrained designs
- Low on-resistance RDS(on) minimizes conduction losses
- Low gate charge QG and capacitance minimizes drive losses
- NVMFS5C430NWF - optional solderable side-wettable flank package for optical inspection
- AEC-Q101 qualified with PPAP documentation available
- Lead-free, RoHS compliant
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.7248 | $ 1.72 |
| 200+ | $ 0.6679 | $ 133.58 |
| 500+ | $ 0.6452 | $ 322.60 |
| 1,500+ | $ 0.6338 | $ 950.70 |
Package Standard1500/Full Reel | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A;185A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.8W;106W | |
| RDS(on) | 1.7mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A;185A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.8W;106W | |
| RDS(on) | 1.7mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Compact 5x6 mm package for space-constrained designs
- Low on-resistance RDS(on) minimizes conduction losses
- Low gate charge QG and capacitance minimizes drive losses
- NVMFS5C430NWF - optional solderable side-wettable flank package for optical inspection
- AEC-Q101 qualified with PPAP documentation available
- Lead-free, RoHS compliant
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |

