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Infineon AUIRGSL4062D1
| Produttore | |
| Cod. Prod. | AUIRGSL4062D1 |
| Cod. LCSC | C3193979 |
| Imballo | TO-262 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 246W 59A 600V TO-262 Single IGBTs |
| Scheda Tecnica | Infineon AUIRGSL4062D1 |
| Parti alternative | 2 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-262 | |
| Td(off) | 90ns | |
| Pd - Power Dissipation | 246W | |
| Td(on) | 19ns | |
| Current - Collector(Ic) | 59A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 44pF | |
| IGBT Type | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.57V | |
| Collector Cut-Off Current (Ices) | - | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 102ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 311uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 532uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.487nF | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@15V | |
| Output Capacitance(Coes) | 118pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-262 | |
| Td(off) | 90ns | |
| Pd - Power Dissipation | 246W | |
| Td(on) | 19ns | |
| Current - Collector(Ic) | 59A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 44pF | |
| IGBT Type | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.57V | |
| Collector Cut-Off Current (Ices) | - | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 102ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 311uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 532uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.487nF | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@15V | |
| Output Capacitance(Coes) | 118pF |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low VCE(on) trench IGBT technology
- Low switching losses
- 5μs short-circuit SOA
- Square RBSOA
- ILM① tested on all devices
- Positive VCE(on) temperature coefficient
- Ultra-fast soft-recovery co-packaged diode
- Tight parameter distribution
- Lead-free, RoHS compliant
- Automotive qualified
Applicazioni
Traduzione AI
- Air conditioning compressor
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Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 9.5375 | $ 9.54 |
| 200+ | $ 3.6912 | $ 738.24 |
| 500+ | $ 3.5615 | $ 1780.75 |
| 1,000+ | $ 3.4982 | $ 3498.20 |
Package Standard50/Full Tube | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-262 | |
| Td(off) | 90ns | |
| Pd - Power Dissipation | 246W | |
| Td(on) | 19ns | |
| Current - Collector(Ic) | 59A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 44pF | |
| IGBT Type | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.57V | |
| Collector Cut-Off Current (Ices) | - | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 102ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 311uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 532uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.487nF | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@15V | |
| Output Capacitance(Coes) | 118pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-262 | |
| Td(off) | 90ns | |
| Pd - Power Dissipation | 246W | |
| Td(on) | 19ns | |
| Current - Collector(Ic) | 59A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 44pF | |
| IGBT Type | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.57V | |
| Collector Cut-Off Current (Ices) | - | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 102ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 311uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 532uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.487nF | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@15V | |
| Output Capacitance(Coes) | 118pF |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low VCE(on) trench IGBT technology
- Low switching losses
- 5μs short-circuit SOA
- Square RBSOA
- ILM① tested on all devices
- Positive VCE(on) temperature coefficient
- Ultra-fast soft-recovery co-packaged diode
- Tight parameter distribution
- Lead-free, RoHS compliant
- Automotive qualified
Applicazioni
Traduzione AI
- Air conditioning compressor
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGSL30B60KPBF | Infineon | Simili | TO-262 | 0 | $ 3.4625 | ||
| AUIRGSL30B60K-IR | Infineon | Simili | TO-262 | 0 | $ 2.6432 |